半導(dǎo)體溫控裝置-循環(huán)風(fēng)控溫系統(tǒng)

半導(dǎo)體溫控裝置-循環(huán)風(fēng)控溫系統(tǒng)

半導(dǎo)體溫控裝置-循環(huán)風(fēng)控溫系統(tǒng)

　　循環(huán)風(fēng)控溫裝置在半導(dǎo)體設(shè)備高低溫測(cè)試中能夠?yàn)橛脩籼峁┮粋€(gè)受控、恒溫均勻的溫控環(huán)境，同時(shí)具備直接加熱、制冷、輔助加熱、輔助制冷的功能，實(shí)現(xiàn)全量程范圍內(nèi)的溫度準(zhǔn)確控制。

　　一、循環(huán)風(fēng)控溫裝置技術(shù)參數(shù)

　　在半導(dǎo)體高低溫測(cè)試中，循環(huán)風(fēng)控溫裝置通過(guò)準(zhǔn)確的溫度循環(huán)和沖擊測(cè)試，驗(yàn)證設(shè)備在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性。主流設(shè)備與技術(shù)參數(shù)如下：

　　AI系列循環(huán)風(fēng)裝置：溫度范圍：-105℃~+125℃；精度：±0.5℃；模塊化設(shè)計(jì)，支持備用機(jī)組熱切換，自動(dòng)化霜、獨(dú)立循環(huán)風(fēng)道，適用于多場(chǎng)景快速構(gòu)建高低溫環(huán)境

　　高低溫沖擊測(cè)試機(jī)（AES系列）：溫度范圍：-115℃~+225℃；精度：±0.5℃；射流式氣流設(shè)計(jì)，模擬嚴(yán)苛溫度沖擊，評(píng)估材料熱脹冷縮應(yīng)力及電性能穩(wěn)定性

　　快速溫變控溫卡盤（MD系列）：溫度范圍：-75℃~+225℃，提供開放測(cè)試平臺(tái)，支持RF器件及功率模塊在快速溫變下的失效分析

　　二、循環(huán)風(fēng)控溫裝置測(cè)試場(chǎng)景

　　1、技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

　　模塊化擴(kuò)展：AI系列設(shè)備支持積木式拼接，可快速構(gòu)建-65℃~+125℃恒溫箱或高低溫沖擊室，減少部署周期。

　　自適應(yīng)PID控制：結(jié)合傳感器實(shí)時(shí)反饋，溫度波動(dòng)控制在±0.,5℃以內(nèi)，滿足半導(dǎo)體封裝工藝對(duì)溫度均勻性的嚴(yán)苛要求。

　　多介質(zhì)兼容性：支持氮?dú)狻鍤獾榷栊詺怏w環(huán)境測(cè)試，避免樣品氧化，適用于光電子器件敏感性測(cè)試。

　　2、典型測(cè)試場(chǎng)景：

　　芯片可靠性驗(yàn)證：通過(guò)-40℃~120℃快速溫變循環(huán)（速率>5℃/min），檢測(cè)焊點(diǎn)開裂、封裝材料分層等失效模式。

　　材料特性分析：在-80℃~+200℃范圍內(nèi)，評(píng)估陶瓷基板、導(dǎo)熱膠等材料熱膨脹系數(shù)匹配性，優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。

　　工藝參數(shù)調(diào)優(yōu)：模擬晶圓測(cè)試環(huán)節(jié)的溫度波動(dòng)，驗(yàn)證探針卡接觸穩(wěn)定性及測(cè)試機(jī)抗干擾能力。